砷化镓的缺点 砷化镓优缺点

东升百科网 885 2023-04-29 18:00:52

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1.砷化镓,化学式为GaAs。

2.黑灰色固体,熔点1238℃。

3.能在600℃以下的空 gas中稳定存在,不受非氧化性酸腐蚀。

4.砷化镓是一种重要的半导体材料。

5.属于III-V族化合物半导体。

6.属于闪锌矿晶格结构,晶格常数为5.65×10-10m,熔点为1237℃,禁带宽度为1.4 eV。

7.砷化镓在1964年进入实用阶段。

8.砷化镓可制成半绝缘高阻材料,电阻率比硅、锗高出三个数量级,可用于制作集成电路衬底、红外探测器、伽马光子探测器等。

9.由于其电子迁移率比硅大5 ~ 6倍,所以被广泛用于制作微波器件和高速数字电路。

10.砷化镓半导体器件具有高频、高低温性能好、噪声低、抗辐射能力强等优点。

11.此外,它还可以用来制作转移器件——体效应器件。

12.砷化镓是一种半导体材料,优点很多,但用它制作的晶体管放大倍数小,导热性差,不适合制作大功率器件。

13.钟毅兴业GaAs薄膜太阳能电池是一项高效的将太阳能转化为电能的新型量产技术。

14.砷化镓虽然性能优异,但在高温下会分解,所以要生产出化学配比理想的高纯度单晶材料,技术要求很高。

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